时间：2025/6/21 10:47:41
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PMT21EN是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型SOT-23封装，适合在空间受限的应用中使用。PMT21EN具有较低的导通电阻和较快的开关速度，能够满足高效能功率转换和开关应用的需求。
该MOSFET主要适用于低电压、中小电流的电路设计，例如负载开关、电源管理模块、电机驱动以及电池供电设备等场景。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：2.6A
导通电阻(RDS(on))：0.4Ω（典型值，VGS=10V）
总功耗(Ptot)：420mW
工作温度范围(TJ)：-55℃至+150℃
PMT21EN具备以下显著特性：
1. 小型化设计：采用SOT-23封装，体积小巧，便于安装在紧凑型电路板上。
2. 高效性：低导通电阻确保了较小的传导损耗，从而提高系统效率。
3. 快速开关能力：短开关时间和低输入电容使其非常适合高频应用。
4. 稳定性：在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
5. 静电防护能力：内置ESD保护功能，可增强其在实际应用中的可靠性。
PMT21EN广泛应用于以下领域：
1. 负载开关：用于控制不同负载的开启与关闭状态。
2. 电源管理：在便携式电子设备中作为DC-DC转换器或LDO稳压器的一部分。
3. 电机驱动：用于小型直流电机的启停控制及调速。
4. 电池保护：防止过充、过放以及短路等异常情况。
5. 信号切换：在多路复用器/解复用器电路中实现信号路径选择。
BSS138
AO3400
FDS6670
