时间：2025/9/14 10:42:43
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PMST5089,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。PMST5089,115 采用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3.1A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ @ Vgs=10V, 105mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
PMST5089,115 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高了整体效率。其 Rds(on) 值在 Vgs=10V 时为 75mΩ，在 Vgs=4.5V 时为 105mΩ，这使得该器件既适用于高驱动电压应用，也适用于较低电压驱动的场景。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，SOT-223 封装提供了较好的散热性能，使其能够在较高的工作温度下稳定运行。器件的最大工作温度可达 150°C，适合在苛刻的工业环境中使用。
PMST5089,115 适用于多种功率电子系统，尤其是在需要高效率和小尺寸封装的应用中表现优异。其典型应用包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统。
在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关使用，凭借其低 Rds(on) 和快速开关特性，有助于提高转换效率并减少热量产生。
在负载开关电路中，PMST5089,115 可用于控制电源分配，实现快速的开关控制并减少待机功耗。
此外，该器件也可用于电机控制电路中，提供高效的功率切换能力，满足小型电机驱动的需求。
由于其符合 AEC-Q101 标准，该 MOSFET 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电系统、车身控制模块和车载娱乐系统等。
Si2302DS, AO3400A, FDS6680, IRLML6401
