时间：2025/9/15 2:30:00
阅读：10
PMST4401,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺技术制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等场合。其封装形式为 TSOP（也称为 TSSOP），具有良好的散热性能和紧凑的体积，适用于高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：26mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散：2.1W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
PMST4401,115 具备多项优良特性，使其适用于高性能功率管理应用。
首先，该 MOSFET 采用 Trench 技术制造，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。在 VGS=10V 时，RDS(on) 典型值为 26mΩ，而在较低的 VGS=4.5V 时，RDS(on) 为 35mΩ，这种特性使其在低电压驱动条件下仍能保持良好的性能。
其次，该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，适用于中等功率级别的开关应用。漏源电压额定值为 30V，能够满足多种低压直流电源系统的应用需求，例如 12V、24V 电源系统。
此外，PMST4401,115 采用 TSOP 封装，具备良好的热管理性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。其额定功率耗散为 2.1W，适合在紧凑型电路设计中使用，而不易产生过热问题。
该 MOSFET 的栅极耐压为 ±20V，提供了更高的驱动灵活性，适用于多种栅极驱动电路。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保了在各种环境条件下的可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。
综上所述，PMST4401,115 凭借其低导通电阻、高电流承载能力、良好的散热设计以及宽广的工作温度范围，成为电源管理和功率开关应用的理想选择。
PMST4401,115 MOSFET 可广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它可用于 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器以及负载开关控制。在电池管理系统中，该器件可作为高侧或低侧开关，用于保护电池组免受过流和短路的影响。此外，它也适用于电机驱动、LED 照明调光电路以及各类嵌入式系统中的功率开关应用。其 TSOP 封装特别适合空间受限的 PCB 设计，如便携式设备、工业控制模块和汽车电子控制单元（ECU）。
SI2302DS, BSS138K, FDS6675, IRML2803
