PMR290UNE 时间：2025/5/8 8:41:49 阅读：10

PMR290UNE是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用N沟道增强型技术。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其设计注重提高系统能效并降低功耗，同时具备出色的热特性和耐用性。

参数

型号：PMR290UNE
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源电压Vds：60V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　持续漏极电流Id：18A（@Tc=25°C）
　　导通电阻Rds(on)：4.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　栅极电荷Qg：32nC
　　输入电容Ciss：1350pF
　　总功耗Ptot：73W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

PMR290UNE具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，从而提升系统的整体效率。
　　其优化的栅极电荷使得开关损耗降低，在高频应用中表现出色。
　　器件支持较高的漏极电流能力（Id），确保在大电流条件下稳定运行。
　　采用TO-252封装形式，有助于改善散热性能，并且便于PCB布局与安装。
　　PMR290UNE的工作温度范围宽广，能够在极端环境下可靠工作，适合工业及汽车级应用需求。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，例如适配器、充电器等。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节或升降压转换。
　　3. 电池管理系统(BMS)，负责保护和监控电池状态。
　　4. 电机驱动电路，控制直流无刷电机或其他类型的电机。
　　5. 负载开关，实现对不同负载的有效管理。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　7. 汽车电子系统，如车载逆变器、LED驱动器等。