时间：2025/9/21 10:31:31
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2SJ187-TD是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等电子设备中。该器件采用小型高密度封装，适合对空间要求较高的应用环境。作为一款通用型功率MOSFET，2SJ187-TD具备良好的导通电阻特性和开关性能，适用于DC-DC转换器、电池供电设备以及各类低电压驱动电路。其设计注重效率与热稳定性，在便携式电子产品中表现出色。该器件的“-TD”后缀通常表示其封装形式为SOT-23或类似的三引脚小型表面贴装封装，便于自动化生产和回流焊工艺。在实际使用中，2SJ187-TD常用于替代其他同类P沟道MOSFET，并因其稳定的电气特性而受到工程师青睐。由于其较高的输入阻抗和较低的驱动功率需求，该器件在数字控制开关应用中具有显著优势。此外，它还具备一定的静电放电（ESD）保护能力，但在处理时仍需遵循防静电操作规范以确保可靠性。整体而言，2SJ187-TD是一款性价比高、性能可靠的功率开关元件，适用于多种低压、小电流场景下的电源控制任务。
型号：2SJ187-TD
极性：P沟道
漏源电压（Vds）：-50V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-100mA
脉冲漏极电流（Idm）：-400mA
导通电阻（Rds(on)）：≤6.5Ω @ Vgs = -10V
导通电阻（Rds(on)）：≤9Ω @ Vgs = -5V
阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.5V
栅极电荷（Qg）：典型值 1.5nC
输入电容（Ciss）：典型值 25pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
2SJ187-TD具备优异的开关特性和低导通电阻，使其在低功耗应用中表现卓越。其P沟道结构允许在高端开关配置中直接用于电源侧控制，无需额外的电平移位电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。该器件在Vgs为-10V时，Rds(on)最大仅为6.5Ω，这意味着在小电流负载下能够有效减少功率损耗，提高能效。同时，在Vgs=-5V条件下仍能保持低于9Ω的导通电阻，说明其具备良好的低压驱动能力，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。
该MOSFET的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了器件在不同工作条件下的稳定开启与关闭，避免因阈值漂移导致的误动作。其较小的栅极电荷（Qg=1.5nC）和输入电容（Ciss=25pF）意味着开关速度较快，动态响应能力强，适用于高频开关操作，如便携设备中的脉宽调制（PWM）控制。此外，低电容特性也减少了驱动电路的负担，有助于降低EMI干扰。
热稳定性方面，2SJ187-TD可在-55°C到+150°C的结温范围内正常工作，适应各种严苛环境。虽然其连续漏极电流仅为-100mA，但足以满足大多数信号级开关和小功率负载控制的需求。例如，在电池管理系统中可用于充放电通路的隔离控制；在MCU输出扩展中可作为电平转换或驱动继电器、LED等负载的接口元件。SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且具备良好的散热性能，配合合理的布局设计可实现长期可靠运行。
2SJ187-TD常用于便携式电子设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池断开电路。它也广泛应用于DC-DC转换器的同步整流或反馈控制环路中，作为低端或高端开关使用。此外，在微控制器输出驱动增强电路中，该器件可用于实现电平转换或驱动外部负载，如传感器使能、外设供电控制等。工业自动化中的低功耗信号切换模块、数据采集系统的通道选通以及消费类电子产品中的模式切换电路也是其典型应用场景。由于其封装小巧且易于贴装，非常适合高密度印刷电路板的设计需求。
2SJ355, 2SJ289, DMG2304L
