时间：2025/9/14 11:32:04
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PMPB55XNEAX是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的Trench栅极技术，提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。PMPB55XNEAX采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装形式，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大栅极电压（VGSS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：6.5A（在TC=25℃时）
导通电阻（RDS(on)）：最大15mΩ @ VGS=10V
导通电荷（Qg）：19nC @ VGS=10V
输入电容（Ciss）：780pF
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMPB55XNEAX具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频操作的应用场景。
其次，PMPB55XNEAX采用PowerFLAT 5x6封装，具有优良的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。该封装还支持双面散热设计，进一步优化热管理性能，适合在空间受限的电路板上使用。
该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力，能够在非正常工作条件下（如过载或短路）提供一定的保护作用，提升系统的可靠性。此外，PMPB55XNEAX的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如5V或10V），便于与多种控制电路（如微控制器或驱动IC）配合使用，简化设计复杂度。
最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车级应用，广泛用于电源转换器、电池管理系统、工业自动化和电动工具等领域。
PMPB55XNEAX适用于多种功率电子系统，包括但不限于同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和汽车电子系统。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能、高密度电源设计的理想选择。
PMPB55XNEA, PMPB55XNEAY, PMBT2369, PMBTA42, NDS355AN
