类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：55 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id（在 25°C）：100 A
　　导通电阻 Rds(on)（最大值，Vgs=10V）：4.5 mΩ
　　功耗（Ptot）：130 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　极数：3（漏极、栅极、源极）

PMPB55ENEA MOSFET 具备多个关键特性，使其在功率电子设计中具有广泛的应用优势。首先，该器件具有较低的导通电阻 Rds(on)，典型值为 4.5 mΩ，这使得在高电流条件下，导通损耗显著降低，从而提高整体系统的能效。此外，其最大漏极电流可达 100A，在高功率应用中表现优异。
　　其次，PMPB55ENEA 采用了先进的沟槽栅结构技术，提供更优的开关性能，减少开关损耗，并在高频开关环境下保持良好的稳定性。其栅极驱动电压范围为 10V 至 20V，兼容常见的 MOSFET 驱动器，便于集成到各种功率电路中。
　　该 MOSFET 还具备优异的热管理能力，其封装形式为 PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能和较低的热阻，能够在高功率密度设计中保持稳定的运行温度。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于严苛环境下的应用，如汽车电子、工业控制和电源管理系统。
　　安全性方面，PMPB55ENEA 具备较高的短路耐受能力，并在极端工作条件下仍能保持稳定，减少因过载或异常工作状态导致的失效风险。这些特性使其成为高可靠性功率转换系统中的理想选择。

PMPB55ENEA 主要用于需要高效能、高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、负载开关、电池管理系统（BMS）、汽车电子（如车载充电器 OBC 和 DC-DC 转换器）以及工业电源设备。在这些应用中，该 MOSFET 可显著降低导通和开关损耗，提高系统效率，同时在高功率密度设计中提供优异的热管理能力。
　　例如，在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电力管理系统中，PMPB55ENEA 可用于主电源开关、逆变器桥臂或电池均衡电路，确保系统在高电流条件下的稳定运行。在工业自动化领域，它可用于伺服驱动器、UPS（不间断电源）和高频开关电源模块中，提供高效、紧凑的功率控制解决方案。
　　此外，由于其具备快速开关能力和低导通电阻，该器件也广泛应用于高效率同步整流器中，用于提高 AC-DC 或 DC-DC 转换器的整体能效。在消费类电子产品中，如高功率 LED 驱动器和笔记本电脑适配器中，PMPB55ENEA 同样表现出色，能够有效降低系统功耗并提升整体性能。

SiR110DP-T1-GE3, FDS5670, NVTFS5C471NL, IPB055N04LGATMA1