IRF7413TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件具有超低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合高频开关应用和功率转换电路。IRF7413TRPBF 的封装形式为 PQFN3*3-8L,这种小型封装有助于节省 PCB 空间。
最大漏源电压:20V
最大连续漏电流:62A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷(典型值):19nC
开关时间:ton=8ns, toff=15ns
工作结温范围:-55°C 至 175°C
BF 使用了先进的 TrenchFET Gen III 技术,从而实现了极低的导通电阻和栅极电荷,这使得它在高频应用中表现优异。
其超小的 PQFN3*3-8L 封装不仅节省空间,还具有良好的热性能。
此外,该器件具备快速开关能力,适合用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和电机驱动等应用领域。
该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
1. 笔记本电脑和服务器中的多相 VR 应用
2. DC-DC 转换器
3. 负载点转换器 (POL)
4. 电机驱动
5. 开关电源 (SMPS)
6. LED 驱动器
IRF7414TRPBF, IRF7415TRPBF