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IRF7413TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 2:18:28 查看 阅读:20

IRF7413TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件具有超低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合高频开关应用和功率转换电路。IRF7413TRPBF 的封装形式为 PQFN3*3-8L,这种小型封装有助于节省 PCB 空间。

参数

最大漏源电压:20V
  最大连续漏电流:62A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷(典型值):19nC
  开关时间:ton=8ns, toff=15ns
  工作结温范围:-55°C 至 175°C

特性

BF 使用了先进的 TrenchFET Gen III 技术,从而实现了极低的导通电阻和栅极电荷,这使得它在高频应用中表现优异。
  其超小的 PQFN3*3-8L 封装不仅节省空间,还具有良好的热性能。
  此外,该器件具备快速开关能力,适合用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和电机驱动等应用领域。

应用

该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑和服务器中的多相 VR 应用
  2. DC-DC 转换器
  3. 负载点转换器 (POL)
  4. 电机驱动
  5. 开关电源 (SMPS)
  6. LED 驱动器

替代型号

IRF7414TRPBF, IRF7415TRPBF

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IRF7413TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 7.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs79nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7413PBFTR