时间：2025/9/14 16:23:55
阅读：5
PMPB47XP,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，能够承受较高的电流和电压。其封装形式为 TO-220AB，具备良好的散热性能，适用于各种工业控制、电源适配器、DC-DC 转换器等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.038Ω（典型值）
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220AB
PMPB47XP,115 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，低 Rds(on) 还有助于减少热量产生，使得设计者能够在高功率密度条件下使用该 MOSFET。
另一个重要特性是其较高的连续漏极电流能力，可达 18A，这使得 PMPB47XP,115 能够适用于需要大电流负载的功率电路中，例如电机驱动器、电源转换器等。同时，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作。
该 MOSFET 还具备较高的栅极阈值电压稳定性，确保在各种工作条件下都能可靠地导通和关断。其 ±20V 的栅源电压耐受能力也增强了器件在高压或瞬态电压环境下的可靠性。
封装方面，TO-220AB 是一种广泛使用的标准封装形式，具备良好的散热性能和机械强度，适用于多种 PCB 安装方式，并能有效将热量传导至散热片或外部环境中。
PMPB47XP,115 适用于多种功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，该器件在高频开关应用中表现尤为出色，有助于提高电源转换效率并减少发热。
在开关电源设计中，PMPB47XP,115 常用于同步整流电路中，以取代传统的肖特基二极管，从而显著提高转换效率。此外，在 DC-DC 升压或降压变换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，用于高效地控制能量的传输与转换。
该器件还常用于电池管理系统中的充放电控制，例如在电动工具、电动车、储能系统中，用作高边或低边开关。由于其良好的导通特性和热稳定性，可以有效减少功率损耗并提高系统的可靠性。
此外，在电机驱动器和继电器替代方案中，PMPB47XP,115 也因其快速开关能力和高耐压特性而被广泛应用。它可以用于控制直流电机的启停、方向切换以及速度调节，适用于工业控制、家电和汽车电子等多种场景。
IRFZ44N, STP18NF06, FDP6670, IPB018N06N3
