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PJQMF05LCT/R 发布时间 时间:2025/6/27 13:24:05 查看 阅读:15

PJQMF05LCT/R 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率电源应用设计。该器件采用先进的封装工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于 AC-DC 转换器、适配器、充电器以及 DC-DC 转换器等场景。
  由于其出色的性能表现,PJQMF05LCT/R 在减少能量损耗和提高功率密度方面有着显著的优势。同时,其增强型 GaN 场效应晶体管结构使其具备更高的可靠性和耐用性。

参数

类型:增强型 GaN 功率场效应晶体管
  最大漏源电压:650 V
  连续漏极电流:5 A
  导通电阻:160 mΩ(典型值)
  栅极阈值电压:1.2 V - 3.0 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

PJQMF05LCT/R 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压和低导通电阻,能够有效降低传导损耗。
  2. 极快的开关速度,支持高达数兆赫兹的工作频率,从而减少磁性元件体积并提升系统效率。
  3. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的安全性和可靠性。
  4. 小型化封装设计,便于在紧凑空间内实现高功率密度的应用。
  5. 具备优异的热性能,可确保在高温环境下长期稳定运行。

应用

PJQMF05LCT/R 广泛应用于以下领域:
  1. USB PD 快充适配器和无线充电器。
  2. 数据中心和通信设备中的高效电源转换模块。
  3. 消费类电子产品的开关电源及 DC-DC 转换器。
  4. 工业级电机驱动和逆变器。
  5. 新能源汽车充电桩及车载充电器。

替代型号

EPC2020, STGAPFET1C, Infineon CoolGaN? 系列相关型号

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