PMPB40ENAX 时间：2025/9/14 16:05:05 阅读：23

PMPB40ENAX是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理和电池供电设备等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值3.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 HV

特性

PMPB40ENAX具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET采用了PowerFLAT封装技术，具有优异的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定的工作温度。
　　此外，PMPB40ENAX的高电流承载能力（高达180A）使其适用于高负载应用，如电机控制和电源转换。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在恶劣的电气环境下可靠运行。
　　该MOSFET的栅极设计支持高速开关操作，减少了开关损耗，并提高了动态响应能力。这使得它非常适合用于高频开关电源、同步整流器和负载开关等应用。此外，±20V的栅源电压耐受能力增强了器件在高噪声环境中的稳定性。

应用

PMPB40ENAX主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块、工业自动化设备以及电动工具和电动车控制器等。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等关键部件中。在消费类电子产品中，它也常用于高功率充电器和适配器的设计。此外，PMPB40ENAX还适用于工业电源、服务器电源和电信设备中的高效率电源转换模块。