器件类型：TVS二极管阵列
　　通道数：4通道
　　工作电压：18V
　　反向 standoff 电压：18V
　　峰值脉冲电流（IPP）：4A
　　钳位电压（VC）：29.5V @ IPP
　　电容值（典型）：3.5pF @ 0V, 1MHz
　　封装类型：MicroFNP (2 mm × 2 mm)
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　ESD 耐受能力：IEC 61000-4-2 Level 4, ±15kV（接触），±15kV（空气）
　　快速瞬变脉冲群（EFT）耐受：IEC 61000-4-4 Level 4
　　最大峰值脉冲功率：100W（8/20μs波形）
　　漏电流（最大）：1μA @ VRWM

V18MLE0402NR具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够有效应对各种电磁干扰和过压事件，尤其适用于需要高可靠性和高性能保护的高速数据接口。其核心特性之一是极低的结电容，典型值仅为3.5pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入额外的信号衰减或失真，因此非常适合用于USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线以及音频和视频线路等对带宽要求较高的应用场景。这种低电容设计不仅提升了系统的信号完整性，还避免了传统保护器件可能带来的通信速率下降问题。
　　另一个显著特点是其双向电压保护能力，允许器件在正负方向上均能有效抑制瞬态过压，特别适合交流信号线路或双极性供电环境下的防护需求。该器件采用雪崩击穿机制，在达到击穿电压后能迅速进入低阻态，将瞬态能量引导至地，从而限制输出端的电压上升幅度。其钳位电压在4A峰值电流下仅为29.5V，远低于大多数CMOS逻辑器件的击穿阈值，可有效防止IC损坏。
　　V18MLE0402NR还具备出色的ESD防护性能，符合IEC 61000-4-2国际标准中的最高等级（Level 4），可承受±15kV接触放电和±15kV空气放电，确保在严苛的使用环境中依然稳定工作。同时，它也能抵御由开关噪声引起的电快速瞬变脉冲群（EFT），满足IEC 61000-4-4 Level 4的要求，增强了系统的抗扰度。MicroFNP封装不仅节省PCB空间，而且具有优良的散热性能，有助于提高器件在连续浪涌事件下的耐久性。此外，该器件无铅且符合环保规范，适用于自动化贴片生产流程，支持回流焊工艺，便于大规模制造集成。

V18MLE0402NR广泛应用于各类需要高可靠性瞬态保护的电子系统中，特别是在便携式消费类电子产品中表现突出。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的USB接口（如USB Type-A、Type-C）、耳机插孔、HDMI端口以及其他高速模拟与数字信号线路的ESD保护。在这些设备中，用户频繁插拔连接器容易引发静电放电，而V18MLE0402NR能够快速响应并吸收高达±15kV的静电冲击，保障内部主控芯片和传感器的安全。
　　在工业控制系统中，该器件可用于保护RS-485、CAN、I2C、SPI等通信总线免受现场环境中常见的电感负载切换和电源波动影响。其宽温工作范围（-55°C至+150°C）使其能在高温工业环境下长期稳定运行。此外，在网络通信设备如路由器、交换机和光模块中，V18MLE0402NR也被用于以太网端口和差分信号线的过压防护，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　汽车电子领域也是其重要应用方向之一，尤其是在车载信息娱乐系统、导航设备和辅助驾驶传感器接口中，用于抵御来自点火系统、电机启停或外部雷击感应产生的瞬态干扰。由于其小型化封装和高集成度，可在有限空间内实现多通道同步保护，简化电路设计并降低整体物料成本。此外，医疗电子设备中对信号完整性和安全性要求极高，V18MLE0402NR凭借其低电容和高可靠性，也常被用于患者连接接口的隔离与保护，防止意外电压窜入导致设备故障或人身伤害风险。

SM712-02UTCG
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