时间：2025/8/2 7:15:02
阅读：23
PMPB33XN是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管专为高频率和高增益应用而设计，适用于射频（RF）放大器、振荡器以及开关电路等领域。PMPB33XN采用了先进的制造工艺，确保了其在高频下的稳定性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该晶体管采用SOT-23封装形式，具有小巧的外形，适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：NPN型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Pd）：300 mW
最大工作温度：150°C
封装类型：SOT-23
过渡频率（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
PMPB33XN晶体管具备多项优异的电气和物理特性，使其在高频应用中表现出色。首先，该晶体管的过渡频率（fT）高达250 MHz，表明其在高频环境下仍能保持良好的放大性能。此外，其电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，这取决于工作电流的大小，使得设计者能够根据具体需求选择合适的偏置条件。
该晶体管的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，具备较高的耐压能力，适用于多种电源和信号处理电路。其最大功耗为300 mW，能够在较高的温度环境下稳定工作。
采用SOT-23封装形式的PMPB33XN具有紧凑的外形尺寸，便于在高密度PCB布局中使用。同时，SOT-23封装具备良好的散热性能，有助于提高晶体管在高功率应用中的可靠性。PMPB33XN的工作温度范围较宽，最高可达150°C，适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。
此外，PMPB33XN还具备良好的线性性能和低噪声特性，使其在射频和音频放大电路中表现出色。其快速开关特性也使其适用于数字电路中的高速开关应用。
PMPB33XN晶体管广泛应用于射频（RF）和模拟电路设计中，尤其是在需要高频率响应和高增益的场合。其高频特性使其成为射频放大器、振荡器、混频器和调制解调电路的理想选择。此外，PMPB33XN也常用于音频放大器、前置放大器和信号处理电路中，能够提供优异的音质表现。
在数字电路中，PMPB33XN可用于高速开关应用，如逻辑门电路、缓冲器和驱动电路等。其高增益特性也使其适用于传感器信号放大和处理电路中，能够有效提升信号的强度和稳定性。
此外，PMPB33XN还可用于汽车电子系统、工业自动化控制和通信设备等领域。其紧凑的SOT-23封装形式和高可靠性使其特别适合于空间受限且对性能要求较高的嵌入式系统和便携式设备中。
BC847系列, 2N3904, BFQ59
