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PMPB27EPAX 发布时间 时间:2025/9/14 16:19:45 查看 阅读:14

PMPB27EPAX是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,使其在多种电子设备中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):27A
  漏极-源极击穿电压(VDS):60V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):32mΩ @ VGS=10V
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C

特性

PMPB27EPAX的主要特性包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率;高耐压能力,确保在高压环境下稳定运行;先进的封装技术,提供了良好的热管理和空间利用率;适用于高频开关应用,支持快速导通和关断;具有优异的雪崩能量吸收能力,增强了器件的可靠性和耐用性。
  此外,PMPB27EPAX还具备良好的抗静电能力,能够在恶劣环境中保持稳定性能。其设计符合RoHS环保标准,适合广泛应用于工业和消费类电子产品。

应用

PMPB27EPAX广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、负载开关以及汽车电子系统等场景。由于其高性能和可靠性,该器件在需要高效功率转换和管理的应用中表现出色。

替代型号

IPB270N06N3 G, FDPF270N65S

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PMPB27EPAX参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.66000剪切带(CT)3,000 : ¥1.30347卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29 毫欧 @ 6.1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1570 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta),12.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘