PMPB27EPAX是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,使其在多种电子设备中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):27A
漏极-源极击穿电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):32mΩ @ VGS=10V
封装类型:PowerFLAT 5x6
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
PMPB27EPAX的主要特性包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率;高耐压能力,确保在高压环境下稳定运行;先进的封装技术,提供了良好的热管理和空间利用率;适用于高频开关应用,支持快速导通和关断;具有优异的雪崩能量吸收能力,增强了器件的可靠性和耐用性。
此外,PMPB27EPAX还具备良好的抗静电能力,能够在恶劣环境中保持稳定性能。其设计符合RoHS环保标准,适合广泛应用于工业和消费类电子产品。
PMPB27EPAX广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、负载开关以及汽车电子系统等场景。由于其高性能和可靠性,该器件在需要高效功率转换和管理的应用中表现出色。
IPB270N06N3 G, FDPF270N65S