PMPB25ENEX 时间：2025/9/14 8:05:12 阅读：33

PMPB25ENEX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统等场合。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：25V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

PMPB25ENEX 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。
　　首先，该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值仅为 4.5mΩ，从而显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的最大连续漏极电流可达 120A，具备出色的电流承载能力，适用于高功率密度设计。
　　其次，该器件采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有优良的热性能和空间利用率，适用于紧凑型 PCB 设计。其封装无引脚设计减少了寄生电感，提高了开关性能，适合高频应用。
　　再者，PMPB25ENEX 的栅极驱动电压范围为 ±12V，支持标准逻辑电平驱动，便于与多种控制电路（如 PWM 控制器或微处理器）直接连接。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和过热稳定性，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　最后，该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定工作，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车级应用。

应用

PMPB25ENEX 适用于多种功率电子系统，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块以及汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也非常适合用于多相电源和服务器电源系统等高密度电源应用。