时间：2025/6/17 1:16:43
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FGB3245G2-F085 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型技术设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种电源管理应用中。其封装形式为行业标准的小型表面贴装器件(SMD)，能够满足紧凑型设计需求。此外，该芯片支持大电流操作，适用于需要高效能转换和低损耗的应用场景。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：240W
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263(D2PAK)
输入电容(Ciss)：1550pF
FGB3245G2-F085 具有出色的电气性能和热性能。
1. 低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下产生的热量较低，从而提高了效率并降低了系统的散热要求。
2. 高速开关能力使得该芯片非常适合高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景。
3. 强大的抗雪崩能力提升了器件在异常条件下的可靠性。
4. 封装采用了先进的材料工艺，具备良好的机械稳定性和热传导性。
5. 它还具有较宽的工作温度范围，能够在极端环境下保持稳定的性能表现。
FGB3245G2-F085 广泛应用于各类电力电子设备中。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件，用于提升转换效率。
3. 电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机控制。
4. 可再生能源领域，例如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节部分。
5. 汽车电子系统，包括启动停止系统、电动助力转向(EPS)及车身控制模块(BCM)等。
FGB3245G2-F090, IRFZ44N, FDP5500
