时间：2025/9/14 8:52:46
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PMPB20XPEZ 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能。PMPB20XPEZ 采用先进的沟槽栅技术，确保了在高电流条件下的稳定性和可靠性。它通常用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：16A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值，典型值 0.18Ω）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
PMPB20XPEZ 具有优异的导通性能和快速开关特性，适用于高效率的功率转换应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术，使得在高电流条件下仍能保持较低的导通压降，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。
此外，PMPB20XPEZ 具有较高的击穿电压（200V），可承受较高的电压应力，适用于各种中高功率应用。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 10V），便于与标准驱动电路匹配。该 MOSFET 还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护。
封装方面，PMPB20XPEZ 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。其引脚排列符合行业标准，易于替换和集成。此外，该器件的工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），适用于各种严苛的工业和汽车环境。
PMPB20XPEZ 广泛应用于各类功率电子系统中，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。其高效率和高可靠性使其成为开关电源、逆变器和负载开关的理想选择。
STP16NF20, IRFZ44N, FDPF20N20, PMPB20XNE
