PMPB20XPEA 时间：2025/8/2 5:04:31 阅读：24

PMPB20XPEA 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于需要低导通电阻、高耐压和高可靠性的场景。PMPB20XPEA 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有优异的热稳定性和电流处理能力，广泛用于工业控制、电源转换、电机驱动和消费类电子产品中。

参数

类型：N 沟道增强型
　　漏源电压（Vds）：200 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22 Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：40 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　安装类型：通孔（Through Hole）

特性

PMPB20XPEA 的核心特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，其 200V 的高耐压能力使其适用于中高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 LED 照明驱动电路。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定的性能。其封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能和机械强度，适合在工业环境中使用。此外，PMPB20XPEA 还具备良好的抗雪崩击穿能力，能够承受一定的瞬态过电压，提高系统的可靠性。
　　由于其栅极驱动电压范围较宽（±20V），PMPB20XPEA 可与多种类型的驱动电路兼容，包括常见的 PWM 控制器和微控制器。这种灵活性使得该器件在多种应用中具有广泛的适用性。

应用

PMPB20XPEA 广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、电池充电器、直流电机控制器、逆变器和 LED 驱动电源。其低导通电阻和高耐压特性使其特别适合用于需要高效能转换的场合，如工业自动化设备、家用电器和照明系统。
　　在电动汽车和新能源系统中，PMPB20XPEA 也可用于功率调节模块和充电控制电路中。其高可靠性和良好的热性能使其在高温环境下依然能保持稳定工作，满足复杂工况下的应用需求。