PMPB15XP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的功率MOSFET晶体管,主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟道技术,能够在相对较低的导通电阻下提供高电流处理能力,适用于如DC-DC转换器、电池充电器和电机控制等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值)
最大功耗(Pd):83W
工作温度范围:-55°C至175°C
PMPB15XP具备低导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
其高电流处理能力使其适合用于高功率密度设计,支持紧凑型电源系统。
该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。
采用先进的沟槽技术,确保了快速开关性能,降低了开关损耗。
此外,它还具有高雪崩能量耐受能力,增强了在高压瞬态条件下的可靠性。
封装形式为TO-220,便于散热,适用于多种工业标准电路板布局。
PMPB15XP广泛应用于多种功率电子系统,包括但不限于:DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源适配器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高可靠性和高效能,该器件也非常适合用于汽车电子系统,如车载充电器和电动车辆的功率管理单元。
STP15NF20, IRFZ44N, FDPF15N20