PQ1R33 是一款由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的 N 沟道功率 MOSFET。这款晶体管主要用于电源管理和功率开关应用,适合在中高功率环境中使用。PQ1R33 采用紧凑型封装,具有良好的热性能和高可靠性,适用于各种消费类电子产品、工业设备和汽车电子系统。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):60A
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
PQ1R33 的主要特性之一是其高电流处理能力,能够支持高达 60A 的连续漏极电流,这使得它非常适合用于高功率负载的开关控制。此外,该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。
另一个显著特点是其热稳定性好,TO-252 封装设计有助于快速散热,从而提高器件在高负载条件下的可靠性。PQ1R33 还具有良好的抗雪崩能力,能够在瞬态条件下提供额外的保护。
此外,PQ1R33 的栅极驱动电压范围较宽,通常在 4.5V 到 20V 之间,使其兼容多种驱动电路,包括由微控制器或专用驱动 IC 控制的应用。这种灵活性使得 PQ1R33 能够广泛应用于不同的电源管理系统中。
PQ1R33 常用于电源管理领域,如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。它也适用于电池供电设备中的功率控制,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。在工业自动化系统中,PQ1R33 可用于电机驱动、继电器驱动和高功率 LED 照明控制。
此外,该器件还广泛应用于汽车电子系统,例如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。由于其高可靠性和良好的热性能,PQ1R33 也常用于需要长时间连续运行的工业设备中,如电源供应器和 UPS(不间断电源)系统。
Si4410BDY, IRF540N, FDP6030L, IPD90N03C4-01