PQ1R33 时间：2025/8/28 22:51:40 阅读：19

PQ1R33 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的 N 沟道功率 MOSFET。这款晶体管主要用于电源管理和功率开关应用，适合在中高功率环境中使用。PQ1R33 采用紧凑型封装，具有良好的热性能和高可靠性，适用于各种消费类电子产品、工业设备和汽车电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

PQ1R33 的主要特性之一是其高电流处理能力，能够支持高达 60A 的连续漏极电流，这使得它非常适合用于高功率负载的开关控制。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。
　　另一个显著特点是其热稳定性好，TO-252 封装设计有助于快速散热，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。PQ1R33 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护。
　　此外，PQ1R33 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 到 20V 之间，使其兼容多种驱动电路，包括由微控制器或专用驱动 IC 控制的应用。这种灵活性使得 PQ1R33 能够广泛应用于不同的电源管理系统中。

应用

PQ1R33 常用于电源管理领域，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。它也适用于电池供电设备中的功率控制，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。在工业自动化系统中，PQ1R33 可用于电机驱动、继电器驱动和高功率 LED 照明控制。
　　此外，该器件还广泛应用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。由于其高可靠性和良好的热性能，PQ1R33 也常用于需要长时间连续运行的工业设备中，如电源供应器和 UPS（不间断电源）系统。