PMPB12UNEA是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等应用。PMPB12UNEA封装在紧凑的PowerFLAT 5x6封装中,具备良好的热性能和空间利用率,适合对尺寸和性能都有较高要求的设计。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):20 V
漏极电流(ID):12 A
RDS(on)(最大值):8.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
栅极阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 2.5 V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
PMPB12UNEA具有多项显著的技术特性,首先其低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。在4.5V的栅极驱动电压下,RDS(on)仅为8.5mΩ,使其在低压大电流应用中表现优异。
其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构技术,优化了电场分布,提高了器件的开关速度和稳定性。同时,PMPB12UNEA具备高电流处理能力,连续漏极电流可达12A,满足高功率应用的需求。
此外,PMPB12UNEA封装在PowerFLAT 5x6封装中,具有优良的热管理性能,有助于降低系统温度,延长使用寿命。该封装形式还具备紧凑的尺寸,适用于空间受限的电路设计。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,具有良好的环境适应性,可在各种恶劣条件下稳定运行。栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V,适用于多种驱动电路设计。
PMPB12UNEA广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关以及电池管理系统等。
在电源管理方面,PMPB12UNEA可用于高效同步整流器、电压调节模块(VRM)以及负载开关控制电路中,其低导通电阻和高电流处理能力有助于提升整体系统效率。
在电机控制应用中,该MOSFET可用于H桥驱动电路或PWM控制电路,实现精确的速度和方向控制。
在DC-DC转换器中,PMPB12UNEA适合作为高边或低边开关使用,其快速开关特性有助于提高转换效率并减小电路体积。
此外,该器件还可用于电池供电设备中的负载开关控制,实现低功耗模式下的高效电源管理。
PMPB12UNXKAG、PMV33UN、FDMS86180、STMDF12N20M5