时间：2025/8/2 6:00:25
阅读：45
PMPB12UNEA是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等应用。PMPB12UNEA封装在紧凑的PowerFLAT 5x6封装中，具备良好的热性能和空间利用率，适合对尺寸和性能都有较高要求的设计。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：20 V
漏极电流（ID）：12 A
RDS(on)（最大值）：8.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V 至 2.5 V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMPB12UNEA具有多项显著的技术特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。在4.5V的栅极驱动电压下，RDS(on)仅为8.5mΩ，使其在低压大电流应用中表现优异。
其次，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构技术，优化了电场分布，提高了器件的开关速度和稳定性。同时，PMPB12UNEA具备高电流处理能力，连续漏极电流可达12A，满足高功率应用的需求。
此外，PMPB12UNEA封装在PowerFLAT 5x6封装中，具有优良的热管理性能，有助于降低系统温度，延长使用寿命。该封装形式还具备紧凑的尺寸，适用于空间受限的电路设计。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具有良好的环境适应性，可在各种恶劣条件下稳定运行。栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，适用于多种驱动电路设计。
PMPB12UNEA广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关以及电池管理系统等。
在电源管理方面，PMPB12UNEA可用于高效同步整流器、电压调节模块（VRM）以及负载开关控制电路中，其低导通电阻和高电流处理能力有助于提升整体系统效率。
在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥驱动电路或PWM控制电路，实现精确的速度和方向控制。
在DC-DC转换器中，PMPB12UNEA适合作为高边或低边开关使用，其快速开关特性有助于提高转换效率并减小电路体积。
此外，该器件还可用于电池供电设备中的负载开关控制，实现低功耗模式下的高效电源管理。
PMPB12UNXKAG、PMV33UN、FDMS86180、STMDF12N20M5
