电容值：50 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：100 V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805 (公制 2012)
　　介质材料：Ceramic, Class I
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.15%
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ
　　工作电压：100 VDC
　　

TSPC050-112 具有出色的温度稳定性，其温度系数为 C0G (NP0)，这意味着其电容值在温度变化时保持高度稳定。这种特性使得它非常适合用于高频电路和精密模拟电路中。
　　该电容器的容差非常小（±0.5 pF），确保了电路设计的高精度。此外，其高绝缘电阻和低损耗角正切使其在高频应用中表现出色，减少了信号损失和能量损耗。
　　TSPC050-112 采用多层陶瓷结构，增强了机械强度和抗热冲击能力。其额定电压为 100V，能够在较高电压下稳定工作，适用于多种电源和信号线路中的滤波和去耦应用。
　　该器件的封装尺寸为 0805（公制 2012），符合标准 SMT（表面贴装技术）工艺要求，便于自动化生产和焊接。

TSPC050-112 主要用于以下应用场景：
　　在射频（RF）电路中，作为高频滤波器和振荡器的组成部分，提供稳定的电容值和低损耗性能。
　　在精密模拟电路中，用于精确的信号处理和滤波，确保电路的高精度和稳定性。
　　在电源管理电路中，作为去耦电容，用于减少电源噪声和电压波动，提高系统的可靠性。
　　在工业控制设备、通信设备和消费电子产品中，作为通用电容器使用，满足多种电路设计需求。

GRM21BR71H503KA01L, C0805C500J1GACTU, VJ0805Y500JXBP-100V