时间：2025/7/23 18:22:54
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PMPB12UNE 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。PMPB12UNE适用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制等多种功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：最大0.045Ω @ Vgs=10V
功耗(Pd)：30W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220、TO-262、D2PAK
PMPB12UNE 具备多项优异特性，适用于高要求的功率电子系统。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在10V栅极驱动电压下，最大Rds(on)仅为0.045Ω，使得该器件在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
其次，PMPB12UNE具备较高的最大漏源电压（100V），适用于中高功率的电源转换系统，如AC-DC电源、DC-DC转换器和电机驱动电路。其栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗电压波动能力。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（30W），可在高温环境下稳定工作。其封装形式包括TO-220、TO-262和D2PAK，便于散热和安装，适用于各种功率电路设计。
该器件还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统响应速度。适用于高频开关电源和电机控制等对开关性能要求较高的场合。
最后，PMPB12UNE具备宽工作温度范围（-55°C至+175°C），适用于工业级和汽车电子应用，具有良好的环境适应性和可靠性。
PMPB12UNE 主要应用于以下领域：
在电源管理方面，PMPB12UNE常用于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，其低导通电阻和高效率特性有助于提升整体系统性能。
在电机控制领域，该器件可用于无刷直流电机驱动器、电动工具和工业自动化设备，其高电流能力和快速开关特性可有效提高电机控制精度和效率。
在汽车电子方面，PMPB12UNE适用于车载电源系统、车灯控制模块和电动助力转向系统，满足汽车应用对可靠性和温度范围的严苛要求。
此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、智能电表、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等功率电子系统中，提供高效、稳定的功率开关解决方案。
IPB12N10N3 G | FDPF12N10 | STD12NF10T4 | NTD12N10CLT4G
