时间：2025/6/17 0:09:43
阅读：6
SI3469DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TSSOP20 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。它广泛用于消费类电子产品、工业控制以及通信设备中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1880pF
功耗：330W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SI3469DV-T1-GE3 的主要特点是其低导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外，其快速开关能力和较低的栅极电荷使器件非常适合高频应用。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩击穿能量能力，能够承受异常情况下的瞬态过载。同时，其小型封装设计允许在紧凑的空间内实现高性能解决方案。
Vishay 在制造过程中采用了先进的工艺技术，确保了产品的可靠性和一致性。这些特点使得 SI3469DV-T1-GE3 成为需要高效功率管理应用的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池保护、负载开关、电信电源等场景。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为高效率功率转换设计的关键元件。
特别是在笔记本电脑适配器、LED 驱动器以及汽车电子系统中，SI3469DV-T1-GE3 凭借其卓越性能表现受到青睐。
此外，该器件还可用于太阳能逆变器和其他能源管理系统，提供稳定的功率输出并优化整体效能。
SI3469DS-T1-E3
IRF540N
FDP55N06L
