PMPB11EN,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该晶体管主要用于低噪声放大器、射频(RF)应用以及高速开关电路中。PMPB11EN,115 采用 SOT23 封装,适用于表面贴装技术(SMT),适合在通信设备、消费电子和工业控制系统中使用。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):30 V
最大集电极电流(IC):100 mA
最大功耗(PD):300 mW
增益带宽积(fT):8 GHz
电流增益(hFE):在 IC=2 mA 时为 50 至 600(具体取决于等级)
封装类型:SOT23
PMPB11EN,115 具有优异的高频性能,能够支持高达 8 GHz 的增益带宽积,使其成为射频和高频放大器的理想选择。
该晶体管具备低噪声系数,在低频和高频条件下都能保持良好的信号完整性,适合用于低噪声前置放大器的设计。
其 SOT23 小型封装不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械强度,适合在高密度 PCB 设计中使用。
晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,可以根据不同的应用需求选择合适的增益等级,提高了设计的灵活性。
此外,PMPB11EN,115 的工作温度范围较广,通常为 -55°C 至 +150°C,使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。
该器件的制造工艺成熟,符合 RoHS 环保标准,适用于自动化生产和大规模应用。
PMPB11EN,115 主要用于射频和微波通信系统中的低噪声放大器、混频器和振荡器电路,以提高信号的接收灵敏度和传输质量。
它也广泛应用于无线局域网(WLAN)、蓝牙模块、Wi-Fi 收发器等无线通信设备中,作为高频信号放大的核心元件。
在消费电子产品中,该晶体管可用于音频放大器、高速开关电路和传感器接口电路,提供快速响应和低失真性能。
此外,PMPB11EN,115 还可用于工业控制系统、测试测量设备和医疗电子设备中的信号处理和放大环节。
由于其优良的高频特性和小型封装,该晶体管在无人机、卫星通信和雷达系统等高端应用中也占有一席之地。
BCX55-10, BFQ19S, BFG21, 2N3904