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PMPB11EN,115 发布时间 时间:2025/9/14 23:33:15 查看 阅读:11

PMPB11EN,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该晶体管主要用于低噪声放大器、射频(RF)应用以及高速开关电路中。PMPB11EN,115 采用 SOT23 封装,适用于表面贴装技术(SMT),适合在通信设备、消费电子和工业控制系统中使用。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30 V
  最大集电极电流(IC):100 mA
  最大功耗(PD):300 mW
  增益带宽积(fT):8 GHz
  电流增益(hFE):在 IC=2 mA 时为 50 至 600(具体取决于等级)
  封装类型:SOT23

特性

PMPB11EN,115 具有优异的高频性能,能够支持高达 8 GHz 的增益带宽积,使其成为射频和高频放大器的理想选择。
  该晶体管具备低噪声系数,在低频和高频条件下都能保持良好的信号完整性,适合用于低噪声前置放大器的设计。
  其 SOT23 小型封装不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械强度,适合在高密度 PCB 设计中使用。
  晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,可以根据不同的应用需求选择合适的增益等级,提高了设计的灵活性。
  此外,PMPB11EN,115 的工作温度范围较广,通常为 -55°C 至 +150°C,使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。
  该器件的制造工艺成熟,符合 RoHS 环保标准,适用于自动化生产和大规模应用。

应用

PMPB11EN,115 主要用于射频和微波通信系统中的低噪声放大器、混频器和振荡器电路,以提高信号的接收灵敏度和传输质量。
  它也广泛应用于无线局域网(WLAN)、蓝牙模块、Wi-Fi 收发器等无线通信设备中,作为高频信号放大的核心元件。
  在消费电子产品中,该晶体管可用于音频放大器、高速开关电路和传感器接口电路,提供快速响应和低失真性能。
  此外,PMPB11EN,115 还可用于工业控制系统、测试测量设备和医疗电子设备中的信号处理和放大环节。
  由于其优良的高频特性和小型封装,该晶体管在无人机、卫星通信和雷达系统等高端应用中也占有一席之地。

替代型号

BCX55-10, BFQ19S, BFG21, 2N3904

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PMPB11EN,115参数

  • 现有数量88,295现货
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)3,000 : ¥1.27975卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14.5 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)840 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta),12.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘