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PMPB10XNE 发布时间 时间:2025/8/2 9:11:34 查看 阅读:28

PMPB10XNE是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高边开关、负载开关、电源管理和电池供电设备中的高效功率控制。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。PMPB10XNE适用于多种应用,包括工业自动化、汽车电子、消费类电子产品以及便携式设备。该MOSFET封装为SOT-223,便于散热,适合高功率密度设计。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  最大连续漏极电流(ID):-4.8A(在VGS = -4.5V时)
  导通电阻(RDS(on)):最大值为10mΩ(在VGS = -4.5V时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT-223

特性

PMPB10XNE具有多项优异的电气和热性能,适用于高性能功率管理应用。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体能效。该MOSFET的P沟道结构使其特别适用于高边开关应用,无需额外的电荷泵电路即可驱动,简化了设计并降低了成本。此外,该器件的SOT-223封装具备良好的散热性能,有助于在高电流条件下保持稳定的温度表现,延长器件的使用寿命。
  该MOSFET具备出色的热稳定性和抗冲击能力,能够在严苛的环境条件下可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽,支持与多种控制电路兼容,包括微控制器、电源管理IC等。PMPB10XNE的快速开关特性降低了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和负载开关控制。此外,该器件具备良好的抗静电(ESD)能力,提高了在装配和使用过程中的可靠性。
  由于其紧凑的SOT-223封装和高性能特性,PMPB10XNE非常适合空间受限但要求高效率和高可靠性的应用场合。例如,在便携式电子设备中,该MOSFET可用于电池供电管理,有效延长电池寿命;在工业控制系统中,可作为高效的功率开关使用。

应用

PMPB10XNE广泛应用于多个领域,包括工业自动化设备、汽车电子系统、消费类电子产品、便携式设备以及电池管理系统。具体应用包括但不限于高边负载开关、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、电源管理模块以及智能电表等。由于其高效率和低功耗特性,该器件在需要节能和延长电池寿命的应用中表现出色。

替代型号

STM32F103C8T6 STM32F407VGT6 STM32F030F4P6

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