C8798 时间：2025/10/29 14:32:16 阅读：62

C8798是一款由Clare公司（现为IXYS的一部分）生产的单通道IGBT栅极驱动器光耦。该器件专为高电压、高功率开关应用设计，适用于需要电气隔离的场合。它通过集成光电二极管阵列和功率放大级，能够有效驱动IGBT或MOSFET等功率半导体器件。C8798采用双列直插式DIP-8封装，具备良好的绝缘性能与抗干扰能力，广泛应用于工业电机控制、逆变电源、UPS系统以及焊接设备中。
　　这款光耦合驱动器内部包含一个红外发光二极管（IR LED），用于接收输入侧的电信号，并将其转换为光信号；输出侧则由光电探测器阵列和推挽式输出级组成，实现对输出电流的高效控制。其设计目标是提供稳定可靠的栅极驱动能力，同时在高噪声环境中保持信号完整性。由于采用了先进的光隔离技术，C8798可在高达5000Vrms的隔离电压下安全运行，确保主电路与控制电路之间的电气隔离，提升系统的安全性与稳定性。

参数

类型：单通道栅极驱动光耦
　　通道数：1
　　封装类型：DIP-8
　　供电电压（VCC）：15 V ~ 30 V
　　输出峰值电流：2.5 A
　　隔离电压：5000 Vrms
　　传播延迟时间：最大 0.8 μs
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：典型值 15 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　输入正向电流：最大 25 mA
　　输出导通状态压降：约 1.6 V
　　上升时间 / 下降时间：典型值 0.4 μs / 0.3 μs

特性

C8798具备出色的动态响应能力和高抗噪性能，能够在高频开关环境下稳定工作。其核心优势之一是高共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值可达15kV/μs，这意味着即使在存在强烈电磁干扰或快速电压变化的高压系统中，输出信号也能保持准确无误，避免因误触发导致的功率器件损坏。
　　该器件具有高达2.5A的峰值输出电流能力，足以直接驱动中等功率等级的IGBT模块，无需额外添加外接晶体管或缓冲电路，从而简化了外围设计并提高了系统可靠性。此外，C8798的传播延迟较短，通常不超过800ns，且上升/下降时间分别仅为400ns和300ns左右，有助于实现精确的时序控制，减少开关损耗，提高整体能效。
　　在保护机制方面，C8798内置了负电压偏置功能支持，允许用户配置负压关断以增强IGBT的安全性，防止误导通。同时，其输出级采用推挽结构，具备较强的灌电流和拉电流能力，保证在开通和关断过程中都能提供足够的驱动强度。热稳定性良好，在-40°C至+100°C的工作温度范围内性能波动小，适合严苛工业环境使用。
　　该器件还符合UL1577和CSA等国际安全标准，满足工业级产品的安规要求。DIP-8封装形式便于手工焊接和自动化装配，兼容传统PCB布局设计。总体而言，C8798是一款集高性能、高可靠性和强驱动能力于一体的隔离型栅极驱动器，特别适用于对响应速度和系统稳定性有较高要求的应用场景。

应用

C8798常用于各类需要电气隔离的功率驱动系统中。典型应用包括交流伺服驱动器、感应加热电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电焊机以及工业变频器等。在这些系统中，微控制器或其他逻辑电路产生的低电平PWM信号通过C8798进行电平转换与功率放大后，可直接驱动高压侧的IGBT模块，实现主电路的精确控制。
　　由于其优异的隔离性能和抗干扰能力，C8798特别适用于多电平逆变拓扑、桥式电路中的高端开关驱动，以及存在地电位浮动或强电磁干扰的复杂电气环境。此外，也可作为其他功率MOSFET或SiC MOSFET的预驱级使用，配合外部扩流电路构成完整的驱动方案。