PMPB10ENZ 时间：2025/9/13 23:35:25 阅读：6

PMPB10ENZ 是一款由安森美半导体（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和开关应用设计，具备较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于各种中高功率电子系统。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合在工业控制、电源转换、马达驱动等场景中使用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　工作温度：-55°C ~ 150°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
　　功率耗散(Pd)：35W
　　封装类型：TO-220

特性

PMPB10ENZ MOSFET采用先进的平面技术，提供了出色的导通性能和较低的开关损耗。其Rds(on)在额定工作条件下可维持在0.45Ω以下，确保了器件在高负载状态下的高效运行。此外，该MOSFET具有较高的热阻能力，能够在较高温度下稳定工作，提升了整体系统的可靠性。
　　该器件还具备较强的抗雪崩击穿能力，能够承受瞬时过压冲击，适用于需要高可靠性的电源系统。其栅极设计支持标准驱动电压，兼容常见的驱动电路，简化了设计流程。TO-220封装结构不仅具备良好的散热性能，还支持多种安装方式，适用于多种电路板布局方案。
　　此外，PMPB10ENZ具有低门极电荷特性，有利于减少开关过程中的能量损耗，提高整体效率。这一特性使其在高频开关应用中表现出色，如DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块等。

应用

PMPB10ENZ 主要应用于各种中高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业控制设备等。其高效率和良好的热稳定性使其成为电源管理和功率开关的理想选择。
　　在电源转换应用中，该MOSFET可作为主开关或同步整流器件使用，有效提升整体系统效率。在马达控制和驱动电路中，PMPB10ENZ能够承受较大的瞬态电流，并提供稳定的导通性能。此外，它也适用于需要较高可靠性的电池供电设备，如储能系统、电动工具、UPS不间断电源等场景。