时间：2025/8/28 14:52:54
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NUF8402MN是一款专为汽车应用设计的双通道N沟道MOSFET，由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产。该器件主要用于汽车电子系统中的负载开关、电机控制、继电器替代以及各种需要高可靠性和高性能的场景。NUF8402MN采用了先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合在高温和高负载条件下工作。该器件采用小型DFN5封装，具有良好的热管理和空间节省优势。
类型：MOSFET
极性：N沟道
通道数：双通道
漏源电压（Vds）：40V
漏极电流（Id）：8A（单通道）
导通电阻（Rds(on)）：最大值23mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：DFN5
NUF8402MN具有多项先进的特性，使其适用于高要求的汽车应用。其双通道设计允许在单一芯片上独立控制两个负载，提高了系统的集成度和可靠性。每个通道都具有低导通电阻，降低了导通损耗，提高了效率，并且能够在高电流下稳定工作。此外，该器件采用了恩智浦的高级Trench MOSFET技术，具有优异的热性能和电流处理能力。
该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（从-55°C到175°C），非常适合在极端环境条件下运行，例如在发动机舱或高功率电子系统中。DFN5封装不仅体积小巧，便于在紧凑的空间中布局，而且具有良好的散热性能，有助于降低系统温度并提高整体可靠性。
NUF8402MN还内置了多种保护机制，如过温保护和过流保护，以防止在异常工作条件下损坏。此外，其栅极驱动电压范围宽广（±20V），允许使用不同的控制电路进行驱动，提高了设计的灵活性。
NUF8402MN广泛应用于汽车电子系统，包括车身控制模块（BCM）、电机驱动、LED照明系统、继电器替代方案、车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及各种需要高可靠性和高效能的车载负载开关应用。此外，该器件也可用于工业自动化和电机控制领域，特别是在空间受限和需要高效热管理的场合。
IPD90P03P4-03, STD8NF03L, NDS8410
