PMPB100ENEX 时间：2025/9/14 7:16:16 阅读：13

PMPB100ENEX 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的高压制程技术，适用于多种电源管理和功率转换应用。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热稳定性，适合用于高效率、高可靠性的电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值4.5mΩ（典型值3.8mΩ，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

PMPB100ENEX MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。此外，该器件具备高雪崩耐受能力，确保在开关过程中不会因电压尖峰而损坏。其低栅极电荷（Qg）特性使其适用于高频开关应用，同时具有较低的开关损耗。
　　这款MOSFET的封装设计优化了热管理性能，有助于将热量迅速散发，从而在高负载条件下保持稳定运行。此外，其高抗扰度设计使其在恶劣环境中也能可靠工作，如汽车电子系统和工业电源设备中。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障。其内部结构设计有效减少了寄生电容，从而降低了高频应用中的动态损耗，使得PMPB100ENEX在DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统中表现优异。

应用

PMPB100ENEX主要用于高性能功率转换系统，如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及电机控制电路。它在汽车电子领域中也有广泛应用，例如用于电动车辆的电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）以及48V轻混动力系统。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统和高功率LED照明驱动电路。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，PMPB100ENEX非常适合用于高效率的同步整流电路，有助于提高电源转换效率并降低发热。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也可作为主开关器件使用，确保系统在高压高电流条件下的稳定运行。