PMPB09R5VPX是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式栅极技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他高功率密度应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30 V
最大栅源电压(VGS):±20 V
最大连续漏极电流(ID):100 A(在TC=25°C时)
导通电阻(RDS(on)):最大9.5 mΩ(在VGS=10 V时)
功率耗散(PD):200 W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6 HV
PMPB09R5VPX具有多项优异特性,使其在高性能功率转换系统中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的最大RDS(on)仅为9.5 mΩ,这在同类产品中处于领先水平。
其次,PMPB09R5VPX采用了PowerFLAT 5x6 HV封装,具备良好的热性能和电流承载能力,适用于高密度PCB设计。该封装无引脚设计有助于减少寄生电感,提高开关性能。
此外,该MOSFET具有高雪崩耐受能力和出色的短路稳定性,能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。其栅极结构设计优化了开关速度与开关损耗之间的平衡,适用于高频开关应用。
最后,PMPB09R5VPX的工作温度范围宽达-55°C至175°C,适用于工业级和汽车级应用环境。
PMPB09R5VPX广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. DC-DC转换器:如同步降压或升压转换器,适用于服务器电源、通信设备和嵌入式系统。
2. 电机驱动和功率开关:用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的高电流负载控制。
3. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、储能系统和便携式设备中的电池充放电管理。
4. 负载开关和热插拔电路:用于服务器和通信设备中实现电源管理与故障保护。
5. 汽车电子系统:如车载充电器、DC-DC转换器和电动助力转向系统。
IPD90N03C4-07, NVTFS5C471NLWFTAG, SiSS828DN, BSC0909LV