时间：2025/9/14 5:37:24
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PMPB08R6ENX 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术，具备低导通电阻和高功率密度的特点，适用于需要高效能和高可靠性的功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功率耗散（Ptot）：320W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PMPB08R6ENX 采用先进的StripFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。
其低导通电阻和低热阻使其在高负载条件下依然保持较低的温度上升，从而提高了系统的稳定性和寿命。
此外，该MOSFET具有高雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性，适用于各种工业电源、DC-DC转换器、电动工具和汽车电子应用。
封装方面，PMPB08R6ENX采用TO-263（D2PAK）封装形式，具有良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度PCB布局。
PMPB08R6ENX 主要应用于高功率DC-DC转换器、工业电源、电机控制、电池管理系统、电动工具驱动电路以及汽车电子系统中的功率开关器件。其高效率和高可靠性使其成为各种高性能电源管理系统的理想选择。
STP150N8F7-08, IPPB08R6ENX
