类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ（@Vgs=4.5V）
　　功耗（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管类型：增强型

MMH0026CU 的核心优势在于其出色的导通性能和紧凑的封装形式。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低在导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 的漏源电压额定值为 20V，能够在多种低压应用中提供稳定的性能。SOT-23 封装形式使其适用于空间受限的电路设计，并具备良好的热管理能力。
　　这款 MOSFET 还具有快速开关特性，适合高频应用，减少开关损耗并提高响应速度。其栅极驱动电压范围适中（通常为 4.5V 至 10V），兼容常见的逻辑电平驱动器，便于集成到各种电路设计中。MMH0026CU 还具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，确保在严苛工况下的可靠运行。

MMH0026CU 适用于多种功率电子应用，尤其是在需要高效率和小型化设计的场景中。例如，它常用于便携式电子设备中的负载开关或电源管理模块，以实现对不同电源轨的精确控制。在电池供电系统中，该 MOSFET 可作为主开关器件，有效降低功耗并延长电池寿命。
　　此外，MMH0026CU 也广泛应用于 DC-DC 转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）及反相（Inverting）拓扑结构中表现优异。其高频开关特性使其成为开关电源（SMPS）的理想选择，有助于减小外部元件尺寸并提升系统效率。该器件还可用于马达控制、LED 驱动电路以及各种低电压功率开关应用。

[
　　 "MMH0026",
　　 "SI2302",
　　 "AO3400",
　　 "FDN304P"
　　]