PMPB07R3ENX 时间：2025/9/14 4:48:16 阅读：18

PMPB07R3ENX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：120A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：7.3mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷 (Qg)：85nC @ 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PMPB07R3ENX 具备多项优异特性，使其在高功率密度和高效率设计中表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，适用于高频开关应用。
　　此外，PMPB07R3ENX 具有高电流处理能力和良好的热性能，得益于其封装设计和内部结构优化，可在高负载条件下稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持从标准 10V 到逻辑电平驱动的应用，增强了其在不同电路设计中的适用性。
　　该 MOSFET 还具有良好的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。此外，其小型 PowerFLAT 封装不仅节省空间，还支持高密度 PCB 布局，适用于现代电子设备对尺寸和性能的双重需求。

应用

PMPB07R3ENX 广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）中的主开关和同步整流器、DC-DC 转换器（如降压、升压和反相转换器）、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车的电机控制电路、负载开关和热插拔控制器、工业自动化和伺服驱动器中的功率级电路。
　　由于其高效率和紧凑的封装，该器件也非常适合用于便携式设备和服务器电源系统中，以满足对高功率密度和低热量输出的需求。在汽车电子领域，PMPB07R3ENX 可用于车载充电器、起停系统和车身控制模块等应用。