PMN70XP 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高效率和优良的热性能,适用于各种电源管理和功率转换应用。PMN70XP 通常封装在小型化的 SOT404(LFPAK)封装中,使其在空间受限的应用中具备优势。该 MOSFET 在导通状态下能够承受较高的电流,并具有较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):50 A
最大漏-源电压(Vds):100 V
最大栅-源电压(Vgs):±20 V
导通电阻(Rds(on)):@4.5V:8.5 mΩ;@2.5V:10.5 mΩ
栅极电荷(Qg):63 nC
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:SOT404 (LFPAK)
PMN70XP 采用了 Nexperia 的 LFPAK 封装技术,这种封装方式提供了优异的热管理和电流承载能力,同时具备较高的机械稳定性和可靠性。该器件的低导通电阻特性使其在大电流应用中具备更低的功率损耗,有助于提高系统效率。
PMN70XP 的栅极驱动电压兼容常见的 4.5V 和 2.5V 控制信号,因此可以用于标准逻辑电平驱动电路。此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力,增强了其在高压和高电流冲击下的耐用性。
该器件还具备良好的抗静电能力和过热保护特性,适用于严苛的工作环境。其高耐用性和稳定性使其成为汽车电子、工业控制、电源转换和电动工具等领域的理想选择。
PMN70XP 广泛应用于多个高性能功率管理系统中,包括但不限于以下领域:
1. 直流-直流转换器(DC-DC Converter):用于高效降压或升压变换电路,提高电源转换效率。
2. 电机驱动器:适用于电动工具、无刷直流电机(BLDC)控制器等高电流应用。
3. 电池管理系统(BMS):用于高功率电池组的充放电控制与保护。
4. 汽车电子:如车载充电器、电动助力转向系统、车载逆变器等。
5. 工业自动化设备:用于PLC、伺服驱动器、工业电源等高可靠性系统中。
SiSS70N10, IRF7473, FDS4435B, NVTFS5C410NLT