时间：2025/6/22 11:51:36
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FQD4N50是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率切换的场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合于中高压应用环境。
型号：FQD4N50
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压Vds：500V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：4A
最大脉冲漏极电流Isp：16A
导通电阻Rds(on)：3.2Ω（在Vgs=10V时）
功耗Pd：140W
工作结温范围Tj：-55℃至+150℃
FQD4N50的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：其500V的漏源电压使其非常适合高压应用。
2. 低导通电阻：在典型的工作条件下，导通电阻仅为3.2Ω，这有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能：该器件具备较低的输入和输出电荷，从而实现更快的开关速度，降低开关损耗。
4. 热稳定性强：能够承受较高的结温范围（-55℃至+150℃），适用于恶劣环境。
5. 封装形式：采用标准的TO-220封装，便于安装和散热管理。
这些特性共同确保了FQD4N50在各类功率转换电路中的高效稳定运行。
FQD4N50可以用于多种电力电子领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
3. 逆变器：在光伏逆变器或不间断电源（UPS）中担任关键功率转换角色。
4. 电池管理系统（BMS）：用于保护电池组免受过充、过放等异常情况的影响。
5. 工业自动化设备：例如可编程逻辑控制器（PLC）中的功率输出级。
FQD4N50凭借其出色的电气性能和可靠性，在上述应用场景中表现出色。
FQP4N50,FDP5N50
