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PMN48XPAX 发布时间 时间:2025/9/14 18:45:22 查看 阅读:18

PMN48XPAX是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的射频功率晶体管,属于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件系列。该器件专门设计用于在高频条件下提供高功率输出和高效率,广泛应用于蜂窝基站、广播系统、工业加热设备以及测试设备等需要高功率放大的场景。PMN48XPAX采用先进的LDMOS技术,能够在48V的工作电压下提供优异的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:LDMOS射频功率晶体管
  工作频率范围:100MHz - 2.7GHz
  工作电压:48V
  输出功率:典型值125W(在2.7GHz时)
  增益:典型值23dB
  效率:典型值65%
  输入回波损耗(S11):15dB
  封装类型:陶瓷金属封装(Ceramic Metal Package)
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  存储温度范围:-65°C至+150°C

特性

PMN48XPAX的最大特点之一是其宽频率覆盖能力,从100MHz到2.7GHz的工作频率范围使其适用于多种通信和射频应用。该器件能够在48V的电压下提供高达125W的输出功率,适合用于需要高功率输出的基站放大器和其他射频系统。此外,PMN48XPAX具有高增益特性,典型增益为23dB,这有助于减少前端放大器的需求,从而简化系统设计并降低成本。其高效率特性(典型值65%)则有助于降低功耗和减少散热需求,提高系统整体能效。PMN48XPAX还具备良好的线性度和稳定性,能够满足现代通信系统对信号质量的高要求。此外,该器件采用陶瓷金属封装,具有良好的热传导性能和机械稳定性,可在恶劣的环境条件下保持稳定工作。该封装还能有效防止外部电磁干扰,确保器件在高功率工作时的可靠性。

应用

PMN48XPAX主要用于无线通信基础设施,如4G LTE和5G基站的功率放大器模块。此外,它也适用于广播发射器、工业射频加热设备、测试与测量仪器以及其他需要高功率射频放大的应用场合。在这些系统中,PMN48XPAX可以提供高效、稳定的功率输出,确保信号传输的质量和覆盖范围。

替代型号

MRF6VP2150N, CLF1H0215S02R13

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PMN48XPAX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥1.35853卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1000 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)530mW(Ta),6.25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457