时间：2025/9/14 21:20:54
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PMN42XPEAH是一款由STMicroelectronics生产的P沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效功率管理的电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和稳定性，适合在高负载条件下使用。PMN42XPEAH通常采用8引脚PowerFLAT封装，适用于各种电源管理应用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-1.8A（在25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：380mΩ（最大值，VGS=-10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：8-PowerFLAT
PMN42XPEAH具有多项显著特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的高效能表现，减少了功率损耗和发热。其次，该器件具有较高的栅极电压容限（±20V），提高了在各种应用中的可靠性。此外，PMN42XPEAH采用了紧凑的PowerFLAT封装，使其非常适合空间受限的设计，同时提供了良好的散热性能。这款MOSFET的温度范围广泛（-55°C至150°C），适用于各种恶劣环境条件下的工业应用。最后，其P沟道设计使其在高侧开关应用中表现优异，能够有效地控制电源流向负载。
PMN42XPEAH广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理模块、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关以及工业控制系统。由于其高效的功率管理能力和紧凑的封装形式，该器件特别适合便携式电子设备和嵌入式系统中的电源管理需求。此外，它也可用于汽车电子系统、智能电表和电机控制电路中，提供稳定的功率控制和高效的能量传输。
NDS355AN, FDC6303, IRML2601
