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PMN40UPEAX 发布时间 时间:2025/9/14 13:54:19 查看 阅读:32

PMN40UPEAX是一款由Nexperia(安世半导体)推出的功率MOSFET晶体管,采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻和高开关性能。该器件主要用于电源管理和功率转换应用,适用于高效能和高密度设计需求。PMN40UPEAX是一款N沟道增强型MOSFET,适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用场景。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):40V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):5.5A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ(最大值,VGS=10V)
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  功率耗散(PD):3.1W

特性

PMN40UPEAX的主要特性是采用了先进的Trench MOSFET技术,这使得其导通电阻非常低,从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,适合在高负荷条件下工作。其40V的漏源电压使其适用于多种中低电压功率应用,例如电池供电设备和DC-DC转换器。该器件的封装形式为TSOP,有助于实现更高的集成度和更小的PCB占用空间。
  另外,PMN40UPEAX的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V,这使其兼容多种驱动电路设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态条件下提供更高的鲁棒性。此外,它的低栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)有助于减少开关损耗,从而提高开关频率下的性能。
  由于其优异的性能,PMN40UPEAX在设计中可以有效减少发热,提高系统的整体效率。它还具有较强的短路耐受能力,为系统提供额外的保护。

应用

PMN40UPEAX广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池保护电路以及工业自动化设备。此外,它也适用于消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED照明系统和电池管理系统。由于其高可靠性和良好的热管理性能,PMN40UPEAX也常用于需要高稳定性和长使用寿命的工业控制系统。

替代型号

PMN40UNX、PMN40UPX、PMN40UPA、Si4446DY

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PMN40UPEAX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)43 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1820 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta),8.33W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457