PMN40UPEAX是一款由Nexperia(安世半导体)推出的功率MOSFET晶体管,采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻和高开关性能。该器件主要用于电源管理和功率转换应用,适用于高效能和高密度设计需求。PMN40UPEAX是一款N沟道增强型MOSFET,适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用场景。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):40V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5.5A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):45mΩ(最大值,VGS=10V)
封装类型:TSOP
工作温度范围:-55°C 至 150°C
功率耗散(PD):3.1W
PMN40UPEAX的主要特性是采用了先进的Trench MOSFET技术,这使得其导通电阻非常低,从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,适合在高负荷条件下工作。其40V的漏源电压使其适用于多种中低电压功率应用,例如电池供电设备和DC-DC转换器。该器件的封装形式为TSOP,有助于实现更高的集成度和更小的PCB占用空间。
另外,PMN40UPEAX的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V,这使其兼容多种驱动电路设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态条件下提供更高的鲁棒性。此外,它的低栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)有助于减少开关损耗,从而提高开关频率下的性能。
由于其优异的性能,PMN40UPEAX在设计中可以有效减少发热,提高系统的整体效率。它还具有较强的短路耐受能力,为系统提供额外的保护。
PMN40UPEAX广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池保护电路以及工业自动化设备。此外,它也适用于消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED照明系统和电池管理系统。由于其高可靠性和良好的热管理性能,PMN40UPEAX也常用于需要高稳定性和长使用寿命的工业控制系统。
PMN40UNX、PMN40UPX、PMN40UPA、Si4446DY