类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220

CJD04N60 80/G MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备优异的导通特性和高耐压能力。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源击穿电压高达600V，适合高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：RDS(on)值较低，有助于减少导通损耗，提高能效。
　　3. 高功率耗散：封装支持高达50W的功率耗散，适用于高功率密度设计。
　　4. 热稳定性好：具有良好的热传导性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　5. 抗过载能力强：具备一定的抗过流和抗短路能力，提高系统可靠性。
　　6. 栅极驱动简单：标准的栅极驱动电压（如10V）即可实现完全导通，适用于常见的MOSFET驱动电路。

由于其高压、高功率和良好的导通特性，CJD04N60 80/G MOSFET被广泛应用于多个领域，包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC/DC转换器、DC/DC转换器，用于高效能电源设计。
　　2. 逆变器和UPS系统：在逆变器中用于高频开关，实现直流到交流的高效转换。
　　3. 电机控制：用于变频器或直流电机驱动电路中，实现对电机的高效控制。
　　4. 家用电器：如电磁炉、微波炉等需要高压功率开关的设备。
　　5. 工业自动化设备：用于工业控制系统的功率开关，如继电器替代、负载切换等。
　　6. LED照明驱动：适用于高功率LED照明系统的恒流驱动方案。

1. 2SK2143（N沟道，600V，3A，TO-220）
　　2. 2SK2545（N沟道，600V，4A，TO-220）
　　3. IRF740（N沟道，400V，10A，TO-220，适用于较低电压应用）
　　4. FQP4N60C（N沟道，600V，4A，TO-220，功能相近）