时间：2025/9/14 12:58:03
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PMN40ENEX 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备等场景。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合中高功率的应用需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续16A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值22mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：LFPAK56（Power-SO8兼容）
PMN40ENEX 具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，使其在导通状态下损耗极低，从而提高整体系统效率。其22mΩ的Rds(on)值在Vgs=10V时表现优异，适用于高电流负载的场合。
该器件采用了Nexperia的LFPAK56封装技术，具有优异的热性能和机械稳定性，能够有效散热并承受较高的工作温度。这种封装还具有良好的PCB兼容性，便于自动化生产和焊接。
此外，PMN40ENEX具备良好的栅极电荷特性，开关损耗较低，适合高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。其最大漏极电流可达16A，在适当的散热条件下可支持更高负载。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，增强了系统的可靠性。同时，其栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计。
PMN40ENEX 常用于电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及服务器和通信设备中的功率控制模块。
在电池供电设备中，PMN40ENEX可用于高效能的电源开关，降低静态损耗，延长电池续航时间。由于其低Rds(on)和高电流承载能力，也广泛应用于马达驱动、LED驱动和电源分配系统。
在工业控制和自动化设备中，该MOSFET可用于PWM控制、继电器替代和高边开关应用。其高可靠性和优异的热性能使其适用于严苛环境下的工业和汽车电子系统。
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"PMN40EN, PMN40ENJ, PMN40ENK, NDS351AN, AO4407A"
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