时间：2025/6/11 11:30:06
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GA1210H223JXXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 GaN（氮化镓）基半导体器件系列。该芯片采用先进的氮化镓技术制造，具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能，广泛应用于高频电源转换、DC-DC 转换器、充电器以及电信设备等领域。
这款芯片利用增强型 GaN FET 技术，可显著提高系统效率并减小整体尺寸。其封装设计优化了散热性能，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
类型：GaN 功率 MOSFET
额定电压：650 V
额定电流：18 A
导通电阻：16 mΩ
栅极电荷：70 nC
最大工作温度：150 °C
封装形式：LFPAK88
GA1210H223JXXAT31G 具备以下主要特性：
1. 高效的氮化镓技术，提供卓越的开关性能和低导通损耗。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提升效率。
3. 支持高达 2 MHz 的开关频率，适合高频应用环境。
4. 内置保护功能，包括过流保护和短路耐受能力。
5. 紧凑型封装设计，减少 PCB 占用面积，同时具备良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该芯片适用于多种电力电子应用场景，例如：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. USB-PD 快速充电器和适配器。
3. 工业级电机驱动和逆变器。
4. 数据中心服务器电源模块。
5. 通信基站和网络设备的电源解决方案。
6. 汽车电子中的 DC-DC 变换和车载充电系统。
GAN064-650WSA
GAN042-650WSA
GCS10065-015A
