时间：2025/9/14 16:30:03
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PMN40ENE 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于中高功率的开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和出色的热性能，同时封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装，便于散热设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：160 A（在 25°C 下）
最大漏源电压（VDS）：40 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻 RDS(on)：0.85 mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg：230 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
PMN40ENE 采用 Nexperia 的先进沟槽型功率 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为 0.85 mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件的最大漏极电流高达 160 A，在 40 V 的漏源电压下能够稳定运行，适用于高电流负载的应用场景。
该 MOSFET 支持 ±20 V 的栅源电压，具有良好的栅极稳定性，能够适应多种驱动电路设计。其栅极电荷 Qg 为 230 nC，支持快速开关操作，有助于降低开关损耗，提高整体能效。
PMN40ENE 的封装形式为 DPAK（TO-252），是一种常用的表面贴装封装，具备良好的散热性能，适用于自动化生产和高密度 PCB 布局。此外，其工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，能够在恶劣环境下稳定运行，适合工业和汽车电子等应用领域。
该器件还具备高可靠性、短路耐受能力和优异的热稳定性，使其在高功率密度和高效率的电源系统中表现优异。
PMN40ENE 适用于多种高功率和高频开关应用，包括但不限于同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源负载开关、服务器和通信设备的电源模块，以及工业自动化和汽车电子中的功率控制单元。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率电源设计的理想选择。
IRF1405, SQM40N08-08M, IPW40N08S2K-08
