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PMN40ENAX 发布时间 时间:2025/9/14 7:50:21 查看 阅读:14

PMN40ENAX是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效功率转换的电路中。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和较高的功率处理能力。PMN40ENAX封装为PowerFLAT 5x6,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能,适用于空间受限的高功率密度设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):120A
  最大漏-源电压(VDS):40V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):1.7mΩ(典型值)
  功耗(PD):100W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6

特性

PMN40ENAX的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。这种特性使得它在大电流应用中表现尤为出色,例如DC-DC转换器、电池充电管理电路以及电机控制电路。
  此外,PMN40ENAX的耐压能力达到40V,能够承受较高的工作电压,适用于各种中低电压功率应用。其高栅极电压容限(±20V)使得该器件在驱动电路设计上更加灵活,降低了驱动电路的设计复杂性。
  该器件采用PowerFLAT 5x6封装,具有较小的封装体积和良好的热性能。这种封装方式不仅提高了散热效率,还允许设计者在有限空间内实现高功率密度的电路设计。因此,PMN40ENAX非常适合用于对空间和散热要求较高的应用,如便携式电子设备、汽车电子和工业自动化设备。
  在可靠性方面,PMN40ENAX具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在恶劣的工作环境中稳定运行。其工作温度范围从-55°C到175°C,使其适用于各种极端温度条件下的应用场景。

应用

PMN40ENAX因其高效率和低导通电阻的特点,常用于电源管理模块,例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。在汽车电子领域,它可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车身控制模块,提供高效、可靠的功率开关解决方案。
  在工业控制领域,PMN40ENAX适用于电机驱动、电源逆变器和工业自动化设备中的功率控制部分。其紧凑的封装和高功率处理能力使其成为工业设备中空间受限但需要高效功率转换的理想选择。
  此外,该MOSFET还可用于高性能计算设备、服务器电源和网络通信设备中的电源管理模块,确保设备在高负载下仍能保持稳定运行。

替代型号

SiSS840BN, NVTFS5C471NL, IPB045N04N, STD80NF03L

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PMN40ENAX参数

  • 现有数量7,847现货
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)3,000 : ¥1.26796卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)43 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)590 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)652mW(Ta),7.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457