PMN30UNE 时间：2025/8/2 9:43:40 阅读：13

PMN30UNE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的热性能。PMN30UNE 通常采用 DFN5 封装（5 引脚双扁平无引脚封装），适用于空间受限的设计，例如电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (VDS)：30V
　　栅源电压 (VGS)：±20V
　　漏极电流 (ID)：6A（最大值）
　　导通电阻 (RDS(on))：35mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻 (RDS(on))：45mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散 (PD)：3W（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN5（双扁平无引脚封装）

特性

PMN30UNE 具有多个关键特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体能效。其次，该器件的高栅极电压耐受能力（±20V）使其能够在各种驱动条件下稳定工作。
　　此外，PMN30UNE 的 DFN5 封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。该封装的低热阻（Rth(j-amb)）确保器件在高电流条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　该 MOSFET 的快速开关特性使其适用于高频功率转换器，减少开关损耗并提高系统效率。它还具有良好的雪崩能量耐受能力，可在高应力条件下提供额外的保护。这些特性使得 PMN30UNE 成为电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用的理想选择。

应用

PMN30UNE 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电池供电设备：用于便携式电子产品（如笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备）中的电源管理电路。
　　2. DC-DC 转换器：适用于高效降压或升压转换器设计，特别是在高频率和高效率要求的应用中。
　　3. 负载开关：用于控制电源路径，实现负载的快速开启和关闭，常用于多电源系统中。
　　4. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为主开关元件，实现高效的电机控制。
　　5. 电源管理：用于电源管理系统中的开关控制，提供高效的能量传输和管理。