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PMN30ENEAX 发布时间 时间:2025/9/14 8:11:56 查看 阅读:9

PMN30ENEAX是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能、高可靠性的功率管理应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力,适用于电源转换、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。PMN30ENEAX采用紧凑型DFN(双侧引脚无引线封装)封装,有助于提高电路板的空间利用率,同时提供良好的热管理和电气性能。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):8.5A(在TC=25℃时)
  导通电阻(RDS(on)):12.5mΩ(最大值,VGS=10V时)
  功率耗散(PD):42W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:DFN(5x6mm)

特性

PMN30ENEAX的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,从而提高整体能效。该器件的高电流承载能力和良好的热性能使其非常适合用于高负载条件下工作的系统。此外,PMN30ENEAX具备较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,从而提高系统的可靠性。
  另一个关键特性是其快速开关能力,这得益于其优化的栅极结构设计,降低了开关损耗并提高了响应速度。这种特性在高频开关应用中尤为重要,如DC-DC转换器和同步整流器。此外,PMN30ENEAX的DFN封装不仅节省空间,而且具有优异的热传导性能,能够有效地将热量从芯片传导到PCB上,从而避免热积聚并提高长期运行的稳定性。
  该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,在异常工作条件下可以提供更高的安全性。同时,其宽广的工作温度范围使其适用于严苛的工业和汽车应用环境。

应用

PMN30ENEAX广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
  ? 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,用于提高转换效率和减小系统尺寸。
  ? 电池管理系统(BMS):用于电动工具、无人机、便携式设备等的电池充放电控制和保护电路中。
  ? 电机控制:如直流电机驱动器、步进电机控制器等,用于实现高效的电机速度和方向控制。
  ? 汽车电子:如车载充电器、起停系统、LED照明控制等,满足汽车应用对高可靠性和稳定性的要求。
  ? 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器、工业电源等设备中的功率开关控制。

替代型号

STL30EN3AL, NDS351AN, SiSS52DN

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PMN30ENEAX参数

  • 现有数量10,860现货
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)3,000 : ¥1.01923卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 5.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)440 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)667mW(Ta),7.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457