时间：2025/9/13 23:20:33
阅读：12
PMN25ENE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等。PMN25ENE 采用 SOT-223 封装，适用于表面贴装技术（SMT），具备良好的散热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：2.5 A
最大漏源电压 (Vds)：20 V
最大栅源电压 (Vgs)：±12 V
导通电阻 (Rds(on))：50 mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻 (Rds(on))：75 mΩ @ Vgs=2.5V
最大功耗 (Ptot)：1.5 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
PMN25ENE 的核心优势在于其低导通电阻特性，使其在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。其 20V 的漏源电压额定值适用于低压电源管理应用，如 5V 和 12V 系统中的开关控制。此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，有助于降低开关损耗并提高响应速度。SOT-223 封装形式具备良好的热管理性能，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。该器件还具备良好的抗静电（ESD）保护能力，增强了在实际应用中的可靠性。
PMN25ENE 采用的沟槽栅结构优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，确保在低电压驱动条件下（如 4.5V 和 2.5V）仍能实现良好的导通状态。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种类型的控制器或驱动 IC 直接连接，无需额外的电平转换电路。此外，PMN25ENE 的封装设计支持自动贴片和回流焊工艺，适用于现代自动化生产线，降低了制造成本并提高了生产效率。
PMN25ENE 主要用于低压电源管理系统中，例如 USB 电源开关、电池供电设备中的负载控制、DC-DC 升压/降压转换器、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理模块。此外，该器件也可用于工业控制系统、传感器接口电路、LED 驱动电路等需要高效能 MOSFET 的应用场景。由于其优异的导通性能和封装散热能力，PMN25ENE 也常被用于替代传统双极型晶体管（BJT）以提高效率并减少系统发热。
FDN340P, BSS138K, FDS6680, Si2302DS, 2N7002K
