57C51C-55T是一款由Renesas Electronics(原Intersil)生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。这款SRAM芯片设计用于需要高速访问和低功耗的应用场合。57C51C系列属于异步SRAM,提供高性能和可靠性,广泛应用于工业控制、通信设备、计算机外设和其他嵌入式系统。
容量:16K x 8位
访问时间:5.5ns(最大)
工作电压:3.3V(或5V兼容)
封装类型:TQFP
封装引脚数:52引脚
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行
读取电流:典型值180mA
待机电流:最大值10mA
57C51C-55T SRAM芯片具有多项显著特性。首先,其高速访问时间(5.5ns)使得它适用于对响应时间要求较高的系统。该芯片支持异步操作,无需外部时钟信号,简化了系统设计。
该SRAM的电源电压为3.3V,同时支持5V逻辑电平兼容性,便于与不同系统集成。57C51C-55T采用低功耗CMOS技术,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
此外,该芯片提供工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在恶劣环境下稳定运行。其TQFP封装形式有助于节省PCB空间,并提高高频应用中的稳定性。芯片还具备高抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中可靠工作。
57C51C-55T SRAM广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中,如工业自动化控制器、通信模块、网络设备、测试仪器和计算机外设等。在工业控制领域,它常用于缓存数据和程序代码,提高系统响应速度。在通信设备中,该SRAM可用于临时存储传输或接收的数据包。此外,它也适用于要求高性能和低功耗的便携式电子产品,如手持终端、数据采集器和智能传感器。
57C51C-55T的替代型号包括57C51C-70T(访问时间7.0ns)和CY62167EY-45ZSXE(Cypress Semiconductor的16K x 8位高速SRAM)。此外,ISSI的IS62WV168BLL-55BLLI和Microchip的23K640-I/ST也可作为替代选项,具体取决于系统设计要求和可用性。