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PMN16XNE 发布时间 时间:2025/7/19 3:10:36 查看 阅读:7

PMN16XNE 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高频率、高效率的电源管理应用而设计,具备低导通电阻、高耐压和高开关速度等特性。PMN16XNE 采用先进的制造工艺,确保了在高压和大电流条件下依然能保持稳定性能,适用于各类 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关等电路。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压 Vds:100V
  栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:16A(在 25°C)
  脉冲漏极电流 Idm:64A
  导通电阻 Rds(on):55mΩ(最大值)
  栅极电荷 Qg:40nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220、D2PAK(取决于具体型号后缀)

特性

PMN16XNE 具备多项优异特性,首先其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的高耐压能力(Vds=100V)使其适用于多种中高功率电源应用。此外,PMN16XNE 的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现高速开关操作,从而减少开关损耗。
  该器件还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在异常工况下的可靠性,防止因瞬态过压或过流而导致的损坏。PMN16XNE 在设计上优化了短路耐受能力,适用于对系统安全性要求较高的应用场合。
  PMN16XNE 支持多种封装形式(如 TO-220 和 D2PAK),便于在不同电路板设计中灵活使用。TO-220 封装适用于通孔焊接,适合传统电源设计;而 D2PAK 则适合表面贴装工艺,便于自动化生产。这些封装形式均具备良好的散热性能,确保器件在高功率密度环境下稳定运行。

应用

PMN16XNE 主要应用于各类电源管理系统中,包括但不限于同步降压和升压转换器、DC-DC 模块、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、工业自动化设备以及电信和网络设备的电源部分。
  在同步整流器中,PMN16XNE 可作为高效能的主开关或同步整流开关,显著提升转换效率。在电机驱动应用中,其高电流能力和低导通电阻可有效减少发热,提高系统运行稳定性。此外,该器件也可用于 UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和储能系统等对效率和可靠性有较高要求的应用场景。
  由于其优异的短路和雪崩耐受能力,PMN16XNE 还适用于一些对系统鲁棒性要求较高的工业控制和汽车电子领域,例如汽车起停系统、电动工具、车载充电器等。

替代型号

SiHH16N100、FQA16N100、IXFH16N100

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