时间：2025/8/15 20:06:30
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HMBT2369T1 是一种双极型晶体管（BJT），广泛应用于高频放大和开关电路中。该器件由ONSEMI（安森美半导体）制造，采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺。HMBT2369T1属于PNP型晶体管，具有良好的高频性能和稳定的电气特性，适用于射频（RF）和中频（IF）应用。
类型：PNP型晶体管
封装类型：SOT-23
最大集电极电流（IC）：100 mA
最大集电极-发射极电压（VCEO）：40 V
最大基极-发射极电压（VEBO）：5 V
最大功耗（PD）：300 mW
最大工作温度：150°C
过渡频率（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：110（最小值）@ IC=2 mA
配置：单晶体管
HMBT2369T1具有出色的高频性能，能够在高达250 MHz的频率下稳定工作，适用于射频放大器和中频放大器设计。该晶体管的电流增益（hFE）在典型工作条件下可达到110以上，具有良好的线性放大能力。SOT-23封装使其适合自动化装配，同时具有较小的体积，适用于紧凑型电子产品设计。此外，HMBT2369T1的热稳定性和耐久性良好，在高温环境下也能保持稳定的性能。其低饱和压降特性也有助于提高能效，减少发热。该晶体管符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造要求。
HMBT2369T1主要用于高频放大器、射频前端模块、中频放大器、混频器和本地振荡器等射频电路。此外，它也常用于低功耗开关电路、模拟信号处理和传感器接口电路。由于其高频特性和小型化封装，非常适合在无线通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子系统中使用。
2N3906, BC846, BC850
